2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[10a-S102-1~9]17.3 層状物質

2025年9月10日(水) 9:00 〜 11:30
S102 (共通講義棟南)
9:00 〜 9:15

[10a-S102-1][第58回講演奨励賞受賞記念講演] 水素原子モデルに基づく元素置換ドープ二次元材料の理解と展開

〇金橋 魁利1、西村 知紀1、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工)
9:15 〜 9:30

[10a-S102-2]硫黄雰囲気中アニールで窒素ドーピングした結晶WS2膜のp型化

〇寺岡 楓1、伊東 壮真1、Jang Jaehyo1、松永 尚樹1、野澤 俊輔1、布施 太翔1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整2 (1.東京科学大学、2.東京科学大学総合研究院)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-S102-3]高濃度置換ドープ WSe2による Esaki Diode デバイス評価

〇杉山 紀成1、森戸 智2、西村 知紀1、金橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大院理工、3.NIMS)
9:45 〜 10:00

[10a-S102-4]ソース/ドレイン電極下への表面プラズマ処理によるWSe2 nFETの作製と電気特性評価

〇川那子 高暢1,2、稲葉 工1、岡田 直也1 (1.産総研、SFRC、2.JSTさきがけ)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-S102-5]二次元層状金属NixNb1-xS2の組成比x制御と単層MoS2-nFETsへのコンタクト形成技術

〇堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[10a-S102-6]ヘテロ分子による2次元半導体の微細領域ドーピングと分子間相互作用の影響

〇小林 尭史1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
10:45 〜 11:00

[10a-S102-7]二硫化モリブデン薄膜トランジスタのCMOS化の検討

〇土田 正道1、許 誠浩1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
11:00 〜 11:15

[10a-S102-8]p+-MoS2/h-BN/p+-MoS2共鳴トンネル接合における負性微分抵抗を用いた高周波発振

〇伊藤 美香1、木下 圭1、守谷 頼1、西村 有紗1、小野寺 桃子1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、鈴木 左文4、町田 友樹1 (1.東大生研、2.NIMS、3.科学大フロンティア研、4.科学大未来研)
11:15 〜 11:30

[10a-S102-9]p-type-WS2膜へのTiコンタクト抵抗低減

〇福田 晃貴1、寺岡 楓1、ジャン ジェイヒョ1、伊東 壮真1、松永 尚樹1、若林 整2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)
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