[10a-S102-1~9] 17.3 層状物質

9:45 〜 10:00

[10a-S102-4] ソース/ドレイン電極下への表面プラズマ処理によるWSe₂ nFETの作製と電気特性評価

〇川那子 高暢^1,2、稲葉 工¹、岡田 直也¹ (1.産総研、SFRC、2.JSTさきがけ)

キーワード：

2次元半導体、電界効果トランジスタ、二セレン化タングステン