講演情報
[10a-S102-7]二硫化モリブデン薄膜トランジスタのCMOS化の検討
〇土田 正道1、許 誠浩1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
キーワード：
二次元材料、硫化モリブデン、薄膜トランジスタ
近年注目を集めている二硫化モリブデン。当研究では大面積を作製することを目的としてスパッタリング法で薄膜を作製した。先行研究より、電極の仕事関数または混入する酸素量によってn型/p型を制御できること、原子状水素または酸素処理を行うことで各TFT特性が高性能化することが分かっている。これらを踏まえてソース・ドレイン電極に用いる金属を変更せずにCMOSを作製し、TFT特性の測定を行った。