講演情報
[10a-S102-8]p+-MoS2/h-BN/p+-MoS2共鳴トンネル接合における負性微分抵抗を用いた高周波発振
〇伊藤 美香1、木下 圭1、守谷 頼1、西村 有紗1、小野寺 桃子1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、鈴木 左文4、町田 友樹1 (1.東大生研、2.NIMS、3.科学大フロンティア研、4.科学大未来研)
キーワード：
トンネル、発振、二次元層状物質
本研究では、高濃度にp型ドーピングされたバルクp⁺-MoS2/h-BNバリア層/バルクp⁺-MoS2構造のトンネル接合を作製した。本接合の電流-電圧特性を測定すると、バルクMoS2のΓ点価電子帯のミニギャップに伴う負性微分抵抗（NDR）が観測された。本デバイスをLC回路に組み込むことで、NDR領域において持続的な発振（252 kHz）を観測できた。