[10a-S103-1~9] 17.2 グラフェン

9:45 〜 10:00

[10a-S103-4] グラフェンにおけるイオンビーム透過：阻止電位による仕事関数と透過障壁の評価

〇寺澤 知潮^1,2、高橋 琢二²、福谷 克之^1,2、保田 諭¹、朝岡 秀人¹ (1.原研、2.東大生研)

キーワード：

グラフェン、水素イオン、イオンビーム

我々はグラフェンの水素イオン透過機構解明のための低速イオンビーム照射法を提案した。本発表では、グラフェンのHe⁺イオンビーム透過の阻止電位がグラフェンの仕事関数によって決まることを明らかにした。当日は、H⁺, H₂⁺, D⁺, D₂⁺のイオン透過阻止電位を用いた透過障壁の評価についても議論する。