[10p-N105-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:00 〜 13:15

[10p-N105-1] 2.38 wt%TMAH現像液エッチングによる(001)面β-Ga₂O₃のステップ＆テラス表面形成

〇大島 孝仁¹ (1.NIMS)

キーワード：

酸化ガリウム、TMAH、wet etching