セッション詳細
[10p-N105-1~13]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2025年9月10日(水) 13:00 〜 16:30
N105 (共通講義棟北)
[10p-N105-1]2.38 wt%TMAH現像液エッチングによる(001)面β-Ga2O3のステップ&テラス表面形成
〇大島 孝仁1 (1.NIMS)
[10p-N105-2]O2供給下における(001) β-Ga2O3のHClガスエッチング
〇大島 祐一1、大島 孝仁1 (1.NIMS)
[10p-N105-3](001)面β-Ga2O3基板上のβ-Ga2O3/エアギャップ構造作製
〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
[10p-N105-4]β-Ga2O3 RF MESFET作製へのミストCVDの適用
〇藤田 静雄1、若松 岳1、池田 光1、安藤 裕二2、高橋 英匡2、牧迫 隆太郎2、上田 哲三3、須田 淳2、田中 勝久1、菅谷 英生3 (1.京大、2.名大、3.パナソニック)
[10p-N105-5]酸化ガリウムフォトニック結晶ナノビーム共振器構造の作製
〇全 濟旭1、Pholsen Natthajuks2、大槻 秀夫2、神野 莉衣奈1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)
[10p-N105-6]Fabrication of (100) Thin Film β-Ga2O3 on Insulator towards Optical Applications
〇(P)Natthajuks Pholsen1, Jewook Jeon2, Hideo Otsuki1, Takayoshi Oshima3, Riena Jinno2, Satoshi Iwamoto1,2 (1.IIS, UTokyo, 2.RCAST, UTokyo, 3.NIMS)
[10p-N105-7]Structural Characterization of Filamentary Twins in (001) β-Ga2O3 Epitaxial Films
〇(D)Hao Wen1, Ce Tao2, Zengyin Dong2, Xiaoqing Huo2, Kyoku Ihou1 (1.Tsinghua Univ., 2.CETC 46th Inst.)
[10p-N105-8]反射/透過配置放射光XRTを用いたβ型Ga2O3基板とエピ層の転位解析
〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、菅原 義弘2、石川 由加里2、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.三重大学、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
[10p-N105-9]放射光X線トポグラフィーによる実動作中のβ-Ga2O3パワーデバイスにおける転位のオペランド観測技術
〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、菅原 義弘2、石川 由加里2、脇本 大樹3、宮本 広信3、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.三重大学、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
[10p-N105-10]電圧印加中のβ-Ga2O3(001)ショットキーバリアダイオード内の転位挙動のオペランドX線トポグラフィ観察
〇勝部 大樹1、姚 永昭1,2、脇本 大樹3、宮本 広信3、佐々木 公平3、倉又 朗人3、石川 由加里1 (1.ファインセラミックスセンター、2.三重大、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
[10p-N105-11]位相差顕微鏡によるβ-Ga2O3(010)結晶中転位の非破壊検出
〇石川 由加里1、勝部 大樹1、佐藤 功二1、姚 永昭1,2、佐々木 公平3 (1.JFCC、2.三重大、3.NCT)
[10p-N105-12]β-Ga2O3に導入された転位の構造解析へのLACBED法適用性検証
〇菅原 義弘1、姚 永昭2,1、佐々木 公平3、石川 由加里1 (1.JFCC、2.三重大、3.NCT)
[10p-N105-13]点欠陥を含むβ-Ga2O3の振動スペクトルの第一原理計算
〇小川 貴史1、勝部 大樹1、石川 由加里1 (1.JFCC)