[10p-N105-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

[10p-N105-10] 電圧印加中のβ-Ga₂O₃(001)ショットキーバリアダイオード内の転位挙動のオペランドX線トポグラフィ観察

〇勝部 大樹¹、姚 永昭^1,2、脇本 大樹³、宮本 広信³、佐々木 公平³、倉又 朗人³、石川 由加里¹ (1.ファインセラミックスセンター、2.三重大、3.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

パワーデバイス、転位、オペランド