[10p-N105-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00

[10p-N105-4] β-Ga₂O₃ RF MESFET作製へのミストCVDの適用

〇藤田 静雄¹、若松 岳¹、池田 光¹、安藤 裕二²、高橋 英匡²、牧迫 隆太郎²、上田 哲三³、須田 淳²、田中 勝久¹、菅谷 英生³ (1.京大、2.名大、3.パナソニック)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD、高周波デバイス

ミストCVD法のβ-Ga₂O₃デバイス応用への可能性を実証する目的で、ゲート長0.45 μmのMESFETを試作し、直流および高周波特性を測定した。また、入出力整合回路を付加したMESFET増幅器を作製し、2.42 GHzにおける線形利得6.5 dBを得た。