講演情報
[10p-N301-12]ScAlMgO4基板上赤色LEDのためのn-GaInN成長に関する検討
〇(M1)榊原 愛1、伊藤 遼太郎1、坂本 龍星1、深水 直斗1、木下 実乃里1、石本 聖治2、鈴木 敦志2 (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション)
キーワード：
LED、エピタキシャル成長
窒化物半導体LEDは、長波長化に伴い外部量子効率が低下するという課題がある。そこで本研究グループはGa0.85In0.15Nと格子整合するScAlMgO4(SAM)基板を用いることで、赤色MQWにおける圧縮歪の低減と効率低下の抑制を目指している。本研究ではSAM基板との格子整合性を考慮し、下地層として用いるGaInNの成長温度が結晶性や表面状態に与える影響を明らかにするための検討を行った。