講演情報
[10p-N301-2]表面処理による窒素極性面AlNの表面状態に関する研究
〇木本 大星1、Zazuli Aina Hiyama1、山中 郁哉1、段畠 陽樹1、林内 天1、仁ノ木 亮祐1、平田 靖晃1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
キーワード：
窒化物半導体、AlN
AlNを下地として用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は従来の金属極性面AlGaN/GaN HEMTと比較して高耐圧、高温動作が期待される。我々はこれまでサファイア基板上にN極性面GaN/AlGaN/AlN HEMTを作製し、その性能評価を行ってきた。本研究では、AlN基板を用いることでデバイスのさらなる性能向上を目指し、結晶成長前の表面処理がAlN基板の表面状態に与える影響の調査を行った。