講演情報
[10p-N301-4]N極性面GaN/AlN HEMTにおけるGaNチャネル再成長に関する研究
〇段畠 陽樹1、Hiyama Zazuli Aina1、山中 郁哉1、木本 大星1、林内 天1、藤原 魁土1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
キーワード：
窒化物半導体、AlN
N極性面GaN/AlN HEMT構造ではGaNキャップ層が不要で、GaNが圧縮歪となることでクラックを抑制でき、高濃度の二次元電子ガスが期待される。しかし、N極性面AlNはキャリア層の性能劣化につながるという課題がある。本研究では、この課題を解決するために、GaNチャネル直前の大気開放・表面処理・中間層などについて検討し、それらとGaNチャネル性能について検討を行ったので報告する。