講演情報
[10p-N301-5]N極性面GaN/AlN構造におけるGaNチャネル層のTMGパルス供給成長
〇山中 郁哉1、Zazuli Aina Hiyama1、木本 大星1、仁ノ木 亮祐1、林内 天1、段畠 陽樹1、平田 靖晃1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
キーワード：
N極性面GaN/AlN、MOVPE、TMGパルス供給
N極性面GaN/AlN HEMTは、従来構造であるGa極性面AlGaN/GaN HEMTよりも更なる大電力、高温動作が期待される。我々は、これまでにMOVPE法によってチャネル層のN極性面GaNを低温及び高Ⅴ/Ⅲ比の条件で成長することで、二次元コヒーレント成長に成功した。しかしながら、移動度が低く、デバイス性能としてもまだ改善の余地がある。これは、低温成長による不純物濃度の増加が影響していると考えている。そこでTMGのパルス供給により、分解効率の改善を試みた。