[10p-N301-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:30 〜 15:45

[10p-N301-8] THz-TDSEによるScAlMgO₄基板上GaN極薄膜の膜厚および電気特性の非接触・非破壊同時測定

〇土田 海渡¹、藤井 高志^2,3、岩本 敏志³、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.立命館大総研、3.日邦プレシジョン)

キーワード：

テラヘルツ、GaN、エリプソメトリ