[10p-N301-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:45 〜 16:00

[10p-N301-9] RF-MBE 法によるScAlMgO4基板上InGaN成長条件の検討

〇西村 佳晃¹、中本 トラン²、藤井 高志³、荒木 努¹ (1.立命館大学理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研)

キーワード：

InGaN成長、ScAlMgO4基板