[10p-N302-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

14:00 〜 14:15

[10p-N302-3] エネルギー最小点動作PIMに応用可能な高ノイズ耐性SRAMセル

伊藤 克俊¹、〇藤原 拓真¹、塩津 勇作¹、菅原 聡¹ (1.東京科学大学・未来研)

キーワード：

SRAM、エネルギー最小点動作、高ノイズ耐性