講演情報
[10p-N322-1]4H-SiC における電子および正孔の高電界ドリフト速度の温度依存性
〇藤岡 大智1、石川 諒弥1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC、高電界ドリフト速度、異方性
ドリフト速度は半導体物理現象の理解に不可欠な物性値である．4H-SiCの高電界ドリフト速度に関する知見は不足しているため，本研究では，c軸方向，c軸垂直方向における電子・正孔ドリフト速度の温度依存性を，コンダクタンス法により広い電界範囲(1–200 kV/cm)で評価した．この電界範囲で測定した、電子ドリフト速度の温度依存性は，Siのそれと類似することを示し，電子・正孔ともに高電界のドリフト速度は等方的となる結果が得られた．