講演情報
[10p-N322-13]透視変換を用いたマルチモーダル解析によるSiC基板の欠陥評価
〇原田 俊太1,2、高橋 幸聖1、辻森 皓太2、Sun Juheyong1、川瀬 道夫1、松原 康高1、瀬尾 圭介1、小寺 竜貴1、島本 憲太3、水谷 誠也4、水谷 優也4、水谷 誠二4、村山 健太4 (1.名大、2.SSR、3.リガク、4.Mipox)
キーワード：
SiC、マルチモーダル解析、透視変換
透視変換による位置合わせを用いたマルチモーダル解析により、SiC基板の転位欠陥を非破壊かつ精密に評価する手法を開発した。偏光顕微鏡法とX線トポグラフィを組み合わせ、転位の自動識別を可能にし、品質評価の効率化を実現した。