講演情報
[10p-N322-2]電子線照射SiCにおける近接したエネルギーを有するSi関連欠陥準位の検出
〇(M1)山中 孝太郎1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
キーワード：
欠陥評価、SiC、DLTS
4H-SiC中には，近接したエネルギー位置を有する深い準位の存在が理論計算により報告されている．しかし，実験的報告という観点では，測定・解析手法のエネルギー分解能が低いために，分離して検出できていない深い準位が多数存在すると予測される．そこで，著者らが過去に提案した，ベイズ推定による過渡容量解析手法を適用したところ，伝導帯端から約0.3 eVの位置にSi関連欠陥に由来する複数の深い準位を検出した．