講演情報
[10p-N322-9]フッ素または酸素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位のUV照射による積層欠陥拡張比較
〇西尾 譲司1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.東芝総研)
キーワード：
炭化珪素、単一ショックレー型積層欠陥、部分転位
4H-SiCエピ層における単一ショックレー型積層欠陥の拡張抑制機構として、イオン注入による格子欠陥の導入が提唱されているが、注入不純物によるSiダングリングボンドの終端による影響との切り分けが必ずしもできていない。今回フッ素と酸素の比較を行い、拡張抑制挙動に大きな差が見られたので報告する。