[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[10p-N324-2] 電子線支援原子層エッチングにおけるフッ素化 GaN 表面の反応性評価

〇(M1)島津 大隼¹、平井 俊也¹、堤 隆嘉²、関根 誠²、井上 健一²、石川 健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

キーワード：

原子層エッチング、電子線、X線光電子分光法

窒化ガリウムは次世代パワー半導体材料として期待されており、高精度かつ低ダメージな異方性エッチング技術が求められる。本研究では、電子線とXeF₂によるフッ化改質と塩素系ガスによる塩化処理を組み合わせたALEプロセスをXPSで評価した。大気曝露によりGa-F₃結合がGa-O結合に変化し、塩化反応が抑制された。これにより、電子線支援ALEにおけるin-situ分析の重要性が示唆された。