[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[10p-N324-1~12]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2025年9月10日(水) 13:30 〜 16:45

N324 (共通講義棟北)

13:30 〜 13:45

[10p-N324-1]酸素プラズマとギ酸蒸気処理によるPt膜の異方性サイクルエッチング

〇三輪和弘¹、グエンﾃｨﾄｩｲｶﾞｰ¹、赤木大二郎²、堀勝¹、石川健治¹ (1.名大低温プラズマ研、2.AGC（株）)

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[10p-N324-2]電子線支援原子層エッチングにおけるフッ素化 GaN 表面の反応性評価

〇(M1)島津大隼¹、平井俊也¹、堤隆嘉²、関根誠²、井上健一²、石川健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[10p-N324-3]CH₄プラズマにおけるGaNのエッチング特性

〇(M1)工藤柊音¹、高橋和生¹ (1.京工繊大)

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-N324-4]プラズマエッチングによるダイヤモンドトレンチ形状の精密制御

〇大矢拓人¹、トラントラングエン²、グエンティトゥイガー²、井上健一²、堤隆嘉²、石川健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[10p-N324-5]2ステップTiN平坦加工プロセスにおける加工レート向上法

〇益子侑大¹、岩瀬拓¹、佐竹真¹、園田靖²、田中基裕²、小藤直行²、前田賢治² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-N324-6]ヨウ素イオン照射によるW表面におけるエッチング反応の評価

〇柳沢拓真¹、Kang Hojun¹、Kang Song-Yun²、Lee Dongkyu²、Lee Yuna²、唐橋一浩¹、浜口智志¹ (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-N324-7]気相中ラジカル組成比がCF_xの付着確率に及ぼす影響

〇(M2)来島拓海¹、堤隆嘉²、関根誠²、井上健一²、石川健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

15:30 〜 15:45

[10p-N324-8]プラズマCVD SiO₂表面のシリル化による低温ガスエッチングに対する保護膜形成

〇今村翼¹、山田将貴¹ (1.日立研開)

15:45 〜 16:00

[10p-N324-9]ラジカル種の深さ依存性がSiエッチング中の側壁保護に与える影響の調査

〇土岡柊斗¹、井上健一²、堤隆嘉²、関根誠²、石川健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

16:00 〜 16:15

[10p-N324-10]エッチングガス解離過程の光電子－光イオンコインシデンスによる分析

トラントラングエン¹、岩山洋士²、林俊雄¹、井上健一¹、堤隆嘉¹、〇石川健治¹ (1.名大、2.分子研)

16:15 〜 16:30

[10p-N324-11]CF₃OCF₃分子の電子物性と解離

〇林俊雄¹、石川健治¹、関根誠¹、堀勝¹ (1.名古屋大学)

16:30 〜 16:45

[10p-N324-12]CF₃OC₂F₅分子の電子物性と解離