2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)8 プラズマエレクトロニクス：8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[10p-N324-1~12]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2025年9月10日(水) 13:30 〜 16:45
N324 (共通講義棟北)
竹田 圭吾(名城大)、 佐々木 俊行(キオクシア)
13:30 〜 13:45

[10p-N324-1]酸素プラズマとギ酸蒸気処理によるPt膜の異方性サイクルエッチング

〇三輪 和弘1、グエン ﾃｨ ﾄｩｲ ｶﾞｰ1、赤木 大二郎2、堀 勝1、石川 健治1 (1.名大低温プラズマ研、2.AGC（株）)
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13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[10p-N324-2]電子線支援原子層エッチングにおけるフッ素化 GaN 表面の反応性評価

〇(M1)島津 大隼1、平井 俊也1、堤 隆嘉2、関根 誠2、井上 健一2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
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14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[10p-N324-3]CH4プラズマにおけるGaNのエッチング特性

〇(M1)工藤 柊音1、高橋 和生1 (1.京工繊大)
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14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-N324-4]プラズマエッチングによるダイヤモンドトレンチ形状の精密制御

〇大矢 拓人1、トラン トラン グエン2、グエン ティ トゥイ ガー2、井上 健一2、堤 隆嘉2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
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14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[10p-N324-5]2ステップTiN平坦加工プロセスにおける加工レート向上法

〇益子 侑大1、岩瀬 拓1、佐竹 真1、園田 靖2、田中 基裕2、小藤 直行2、前田 賢治2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
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14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-N324-6]ヨウ素イオン照射によるW表面におけるエッチング反応の評価

〇柳沢 拓真1、Kang Hojun1、Kang Song-Yun2、Lee Dongkyu2、Lee Yuna2、唐橋 一浩1、浜口 智志1 (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-N324-7]気相中ラジカル組成比がCFxの付着確率に及ぼす影響

〇(M2)来島 拓海1、堤 隆嘉2、関根 誠2、井上 健一2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
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15:30 〜 15:45

[10p-N324-8]プラズマCVD SiO2表面のシリル化による低温ガスエッチングに対する保護膜形成

〇今村 翼1、山田 将貴1 (1.日立研開)
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15:45 〜 16:00

[10p-N324-9]ラジカル種の深さ依存性がSiエッチング中の側壁保護に与える影響の調査

〇土岡 柊斗1、井上 健一2、堤 隆嘉2、関根 誠2、石川 健治2 (1.名大院工、2.名大プラズマ)
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16:00 〜 16:15

[10p-N324-10]エッチングガス解離過程の光電子－光イオンコインシデンスによる分析

トラン トラン グエン1、岩山 洋士2、林 俊雄1、井上 健一1、堤 隆嘉1、〇石川 健治1 (1.名大、2.分子研)
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16:15 〜 16:30

[10p-N324-11]CF3OCF3分子の電子物性と解離

〇林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名古屋大学)
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16:30 〜 16:45

[10p-N324-12]CF3OC2F5分子の電子物性と解離

〇林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名古屋大学)
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