[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-N324-4] プラズマエッチングによるダイヤモンドトレンチ形状の精密制御

〇大矢 拓人¹、トラン トラン グエン²、グエン ティ トゥイ ガー²、井上 健一²、堤 隆嘉²、石川 健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

キーワード：

ダイヤモンド半導体、プラズマエッチング

ダイヤモンド縦型FETにおける高精度なトレンチ形成を目的に、プラズマエッチング条件と形状の関係を検討した。SiO₂マスクを用い酸素エッチングを行うと、スパッタ再付着によるピラー構造が形成されたが、O₂に1.5%のCF₄を添加することでこれを抑制できた。トレンチ底部の形状には課題が残るものの、CF₄添加により安定なトレンチ形成が可能となり、今後はバイアス電力の最適化による形状制御が重要であると示唆された。