[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-N324-6] ヨウ素イオン照射によるW表面におけるエッチング反応の評価

〇柳沢 拓真¹、Kang Hojun¹、Kang Song-Yun²、Lee Dongkyu²、Lee Yuna²、唐橋 一浩¹、浜口 智志¹ (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)

キーワード：

エッチング、タングステン、ヨウ素イオン