講演情報
[10p-N324-8]プラズマCVD SiO2表面のシリル化による低温ガスエッチングに対する保護膜形成
〇今村 翼1、山田 将貴1 (1.日立研開)
キーワード：
TMSDMA、ガスエッチング、HF
3D NANDなどの高積層デバイスでは、高アスペクト比のパターン側壁に形成された膜を横方向にエッチングする必要がある。ここでは積層方向に対するエッチング量の制御性が重要である。この要求に対して、ガスエッチングに代表されるコンフォーマルエッチング技術に加え、パターン頂部から中腹部までの側壁保護プロセスが必要となる。そこで、気相処理でSiO2表面に単分子膜が形成できるシリル化処理による保護膜形成プロセスを検討した。