[10p-N324-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:45 〜 16:00

[10p-N324-9] ラジカル種の深さ依存性がSiエッチング中の側壁保護に与える影響の調査

〇土岡 柊斗¹、井上 健一²、堤 隆嘉²、関根 誠²、石川 健治² (1.名大院工、2.名大プラズマ)

キーワード：

SF6/O2プラズマ、反応性イオンエッチング、シリコン貫通ビア

半導体デバイスの3次元集積にシリコン貫通ビアの極小ビア径の精密な高アスペクト比エッチング技術が必要不可欠である。SiのSF₆/O₂による反応性イオンエッチングでは、微細構造内のエッチングの反応メカニズムをモデル化して、精密な形状制御するまでには解明されていない。本研究ではフッ素と酸素のラジカルをパラメータとしてSiの高アスペクト比エッチングを行い、形成される構造の断面形状を決定する側壁への影響を調べた。