[10p-N401-1~7] 13.3 絶縁膜技術

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[10p-N401-1] Ge(111) GAA nFETsに向けたALD-HKMG Ge MOS構造の検討

〇川名 慶征^1,2、福原 昇¹、張 文馨¹、陳 家驄¹、堤 利幸^1,2、前田 辰郎¹ (1.産総研、2.明大理工)

キーワード：

半導体、Ge(111)、GAA

高移動度GeチャネルGAA nFET実現に向けたGe(111)基板上でのALD-Al₂O₃/TiN HKMGプロセスと面方位依存界面制御を検討した。Ge(111)とGe(100)上で、低温ALDでAl₂O₃、スパッタTiNからなるHKMGを形成。PDA温度を変化させ、界面反応・界面準位密度を解析し、電気特性を評価した。