[10p-N401-1~7] 13.3 絶縁膜技術

14:15 〜 14:30

[10p-N401-4] N2アニール処理によるGeO2/Ge界面特性の特性改善に関する研究

〇小崎 祐哉¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

半導体