[10p-N401-1~7] 13.3 絶縁膜技術

14:30 〜 14:45

[10p-N401-5] 二段階堆積と極薄 GeO2/Ge 界面の特性評価

〇井上 拓紀¹、鈴木 拓光¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹、並木 美太郎¹ (1.農工大工)

キーワード：

半導体