[10p-N401-1~7] 13.3 絶縁膜技術

15:00 〜 15:15

[10p-N401-7] 高誘電率材料TiO₂を用いたGe-MOS構造に関する研究

〇内田 遥太¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

半導体