[10p-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

13:30 〜 13:45

[10p-N402-1] サーモグラフィを用いたMBE装置の基板温度測定法

〇下村 哲¹、江口 陸¹、今井 大登¹、李 志潤¹ (1.愛媛大　院理工)

キーワード：

サーモグラフィ、基板温度、GaAsBi

アルミを基板裏に蒸着した2 inch GaAs基板をMBEマニピュレータに取り付け、パイロメータの測定値とサーモグラフィの測定値を基板裏の熱電対の温度に対してプロットした。パイロメータの測定値は熱電対温度500℃から750℃まで直線にのるが、500℃以下では、傾きが徐々に緩くなり直線から外れていく。一方、サーモグラフィの測定値は二つの直線で近似でき、520℃以上で傾きは１、520℃以下になると傾きが0.89と緩くなる。