セッション詳細
[10p-N402-1~11]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2025年9月10日(水) 13:30 〜 16:30
N402 (共通講義棟北)
山根 啓輔(豊橋技科大)、 西永 慈郎(産総研)
[10p-N402-2]GaSb基板上InSb量子ドットの遷移選択フォトルミネッセンス測定
〇牛頭 信一郎1、鬼頭 大河2、桑原 笑明2、山本 恭輔2、遠藤 聡2、藤代 博記2 (1.産総研、2.東理大先進工)
[10p-N402-5]InAs量子ドット成長に起因する格子不整合歪みによるGaAs層におけるabove-barrier状態の形成
〇鈴木 崇斗1、小島 磨1、海津 利行2、和田 修3、喜多 隆3 (1.千葉工大院工、2.電通大、3.神戸大)
[10p-N402-8]大気暴露後のInAs/GaAs量子井戸の発光特性に与える表面再構成の影響
Ma Zhao1,2、〇間野 高明1、大竹 晃浩1、黒田 隆1,2 (1.NIMS、2.九大)
[10p-N402-10](100)InP有機金属気相エピタキシーにおけるオフ方向依存Zn基板側拡散の理論的説明
〇望月 和浩1、太田 博1、三島 友義1、堀切 文正1、西村 智朗1 (1.法政大)
[10p-N402-11]In0.05Ga0.95As/GaAs 多重量子井戸における非線形光学効果の発生
〇青山 倖大1、小島 磨1、井上 知也2、喜多 隆2 (1.千葉工大工、2.神戸大院工)