2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[10p-N402-1~11]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2025年9月10日(水) 13:30 〜 16:30
N402 (共通講義棟北)
13:30 〜 13:45

[10p-N402-1]サーモグラフィを用いたMBE装置の基板温度測定法

〇下村 哲1、江口 陸1、今井 大登1、李 志潤1 (1.愛媛大　院理工)
13:45 〜 14:00

[10p-N402-2]GaSb基板上InSb量子ドットの遷移選択フォトルミネッセンス測定

〇牛頭 信一郎1、鬼頭 大河2、桑原 笑明2、山本 恭輔2、遠藤 聡2、藤代 博記2 (1.産総研、2.東理大先進工)
14:00 〜 14:15

[10p-N402-3]全ヒ素系材料で成長されたCバンド量子ドットレーザ

〇權 晋寛1、鄭 智恵1、角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
14:15 〜 14:30

[10p-N402-4]Co-doped InAs/GaAs量子ドットレーザにおける閾値電流特性のp型ドーピング濃度依存性

〇角田 雅弘1、權 晋寛1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[10p-N402-5]InAs量子ドット成長に起因する格子不整合歪みによるGaAs層におけるabove-barrier状態の形成

〇鈴木 崇斗1、小島 磨1、海津 利行2、和田 修3、喜多 隆3 (1.千葉工大院工、2.電通大、3.神戸大)
14:45 〜 15:00

[10p-N402-6]累積分布関数による GaAs 層上に成長させたInAs 量子ドット高さ分布解析

〇奥泉 陽斗1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-N402-7]Si上GaAs成長における低温初期層が歪緩和に与える影響

〇早川 祥太1、安河内 唯人1、小島 信晃1 (1.豊田工大)
15:30 〜 15:45

[10p-N402-8]大気暴露後のInAs/GaAs量子井戸の発光特性に与える表面再構成の影響

Ma Zhao1,2、〇間野 高明1、大竹 晃浩1、黒田 隆1,2 (1.NIMS、2.九大)
15:45 〜 16:00

[10p-N402-9]GaAs/Ge/GaAs{111}ヘテロ構造における極性制御

〇大竹 晃浩1、林 侑介1、間野 高明1 (1.物材機構)
16:00 〜 16:15

[10p-N402-10](100)InP有機金属気相エピタキシーにおけるオフ方向依存Zn基板側拡散の理論的説明

〇望月 和浩1、太田 博1、三島 友義1、堀切 文正1、西村 智朗1 (1.法政大)
16:15 〜 16:30

[10p-N402-11]In0.05Ga0.95As/GaAs 多重量子井戸における非線形光学効果の発生

〇青山 倖大1、小島 磨1、井上 知也2、喜多 隆2 (1.千葉工大工、2.神戸大院工)
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