講演情報
[10p-N402-3]全ヒ素系材料で成長されたCバンド量子ドットレーザ
〇權 晋寛1、鄭 智恵1、角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
キーワード：
量子ドット、レーザ、分子線エピタキシー
InP基板上の量子ドット（QD）レーザは、10 Tbpsを超える超高速光トランシーバー向けの非常に有望な光源として注目されている。長波長領域における優れた熱安定性、低消費電力動作、光フィードバック耐性により、次世代の光通信システムに理想的である。しかしながら、多層スタック構造において精密な波長制御および構造安定性を実現するには、歪みの蓄積やV族元素の相互拡散といった課題がある。これらの課題に対処するために、InP基板上に低インジウム組成の部分キャップ層を導入する新たな成膜手法が提案された。本研究では、この手法により、全ヒ素系材料で成長されたCバンド量子ドットレーザを実現したので、報告する。