[10p-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:15 〜 14:30

[10p-N402-4] Co-doped InAs/GaAs量子ドットレーザにおける閾値電流特性のp型ドーピング濃度依存性

〇角田 雅弘¹、權 晋寛¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：

分子線エピタキシー