講演情報
[10p-N402-5]InAs量子ドット成長に起因する格子不整合歪みによるGaAs層におけるabove-barrier状態の形成
〇鈴木 崇斗1、小島 磨1、海津 利行2、和田 修3、喜多 隆3 (1.千葉工大院工、2.電通大、3.神戸大)
キーワード：
Above-barrier状態、InAs量子ドット、2次の非線形分極
我々はエピタキシャル成長に伴う格子不整合歪みによって形成されるabove barrier状態に注目しており、以前、我々はGaAs基板上のInAs量子ドットにおいて、歪みによってGaAs層に形成されたabove barrier状態を励起することでテラヘルツ電磁波が発生することを報告した。しかしながら、above barrier状態に生成されるキャリアが非線形分極の形成に果たす役割は、明確ではないため、発光励起スペクトルからabove barrier状態を明らかにすることを目的に研究を行った。