[10p-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-N402-7] Si上GaAs成長における低温初期層が歪緩和に与える影響

〇早川 祥太¹、安河内 唯人¹、小島 信晃¹ (1.豊田工大)

キーワード：

エピタキシャル成長、MBE、MEE