[10p-N402-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:45 〜 16:00

[10p-N402-9] GaAs/Ge/GaAs{111}ヘテロ構造における極性制御

〇大竹 晃浩¹、林 侑介¹、間野 高明¹ (1.物材機構)

キーワード：

分子線エピタキシー、III-V族化合物半導体、極性反転

分子線エピタキシーを用いてGaAs/Ge/GaAs{111}ヘテロ構造を作製し、その極性を制御することに成功した。GaAs{111}A,B基板上に10BLのGe中間層を成長させ、(i) Ge中間層表面を1ML相当のGaで終端した後にGaAs成長を行うとGaAs(111)A薄膜が成長し、(ii) Inで終端した後に成長を行うとGaAs(111)B薄膜の形成することが確認された。