講演情報
[10p-S102-5]歪み印加した単層及び積層WS2トランジスタの電気伝導特性
〇于 沛杉1、北村 天太1、及川 敬夫1、遠藤 尚彦2、丸山 実那3、岡田 晋3、鈴木 弘朗4、林 靖彦4、宮田 耕充2、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.NIMS、3.筑波大数理、4.岡大環境自然)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、歪み効果、トランジスタ
本研究では、単層遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)及び積層TMDCにおいて、歪み印加・制御可能なデバイスを作製し、その電気伝導特性の解明を目的にした。具体的には、単層WS2と小さなねじれ角で積層した二層WS2を用いて、ゲル状電解質による柔軟なトランジスタ構造を導入することで、トランジスタ特性の歪み依存性の評価を行った。