講演情報

14:30 〜 14:45

[10p-S102-6]MoS₂ウエハー上high-k堆積で理想的な界面形成は可能か？

大竹亮多郎¹、李曙紅¹、西村知紀¹、金橋魁利¹、佐久間芳樹²、〇長汐晃輔¹ (1.東京大学、2.NIMS)

２次元材料

本研究では，2インチサファイア基板上に全面成長した単層MoS₂ウエハーを用い，転写プロセスの影響を排除した大面積high-k/MoS₂積層構造を作製し，光学特性評価によりMoS₂上high-k膜の経時特性変化を調べた．