[10p-S102-1~9] 17.3 層状物質

15:15 〜 15:30

[10p-S102-9] 抵抗加熱蒸着法によるSb2Te3層状膜コンタクトの作製技術とMoS2 nMOSFETsの性能比較

〇張 文馨¹、佐々木 俊哉^1,2、金 美賢²、畑山 祥吾¹、齊藤 雄太^1,2、岡田 直也¹、遠藤 尚彦³、宮田 耕充³、入沢 寿史¹ (1.産総研SFRC、2.東北大、3.物材機構)

キーワード：

TMDC、MoS2、MOSFET