[10p-S201-1~12] 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

14:45 〜 15:00

[10p-S201-7] 試料冷却下でのGCIB-TOF-SIMSによるペロブスカイト膜の深さ方向分析

〇浅原 千鶴¹、五十嵐 陽彦¹、坂田 智裕¹、二村 寛子¹、稲元 伸¹、中村 智也²、チョン ミンアン²、大橋 昇²、若宮 淳志² (1.東レリサーチセンター、2.京大化研)

キーワード：

ペロブスカイト型太陽電池、TOF-SIMS、分析

本研究では、ガスクラスターイオンビーム（GCIB）を用いた飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF-SIMS）を試料冷却下で実施し、ペロブスカイト膜の深さ方向分析を行った。イオンビーム照射によるペロブスカイト膜へのダメージが課題であったが、試料冷却により分析ダメージが抑制でき、精密な深さ方向分析が可能となった。