[7a-N201-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[7a-N201-2] ミストCVD 法によるGa₂O₃ 膜のレーザーアニールによる結晶化

〇平岡 知己¹、西水流 悠太³、新海 聡子³、若松 岳²、池田 光²、藤田 静雄²、田中 勝久²、大野 泰夫¹ (1.レーザーシステム、2.京都大、3.九工大)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD、レーザーアニール

酸化ガリウムは高f_T特性からミリ波帯無線電力伝送向けに有望である。本研究では、サファイア基板上にミストCVDで堆積したSnドープアモルファス酸化ガリウム膜を成膜し、LD照射により局所加熱を行った。伝導度測定の結果、LD出力の増加に伴い抵抗が低下し、XRDによりβ相の生成を確認した。