[7a-N201-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30

[7a-N201-5] 極めて狭い窓幅のストライプマスクを用いたc面α-Ga₂O₃の選択横方向成長

〇大島 祐一¹、四戸 孝² (1.NIMS、2.FLOSFIA)

キーワード：

酸化ガリウム、選択成長、転位