[7a-N201-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

[7a-N201-8] Mist CVD法による1000°C以上での(010) b-Ga₂O₃の成長検討

〇(M1)齊藤 星¹、杉谷 諒¹、山口 智広¹、阿部 翔平¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大学、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、結晶成長、Mist CVD法