[7a-N201-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45

[7a-N201-9] ミストCVD法によるMgO薄膜への高濃度Al添加

〇中島 三四郎¹、小川 広太郎¹、山口 智広¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大)

キーワード：

酸化マグネシウム亜鉛、ミスト化学気相堆積、超ワイドバンドギャップ

岩塩構造MgZnOは、室内で真空紫外発光が得られることから、次世代の紫外線及び真空紫外線光源用材料として期待されている。本講演では、ミストCVD法を用いた岩塩構造MgZnOの電流注入素子への展開に向け、上流部の炉内環境の制御による、高濃度Al添加の検討を行うため、MgO(100)基板上高濃度Al添加MgOのホモエピタキシャル成長を行った結果について報告する。