講演情報
[7a-N202-3]ZrO2緩衝Si基板上へのエピタキシャルLaNiO3薄膜の成長と水素化誘起熱スイッチ特性
〇財前 遥1、田中 秀和1,2、李 好博1,2、太田 裕道3、ジョン アロン3、中川原 修4 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.北大電子研、4.I-PEX Piezo Solutions Inc)
キーワード：
LaNiO3、シリコン基板、パルスレーザー堆積法
将来の酸化物エレクトロニクス発展に向け、ウエハースケールのSi基板上への機能性酸化物高品質エピタキシャル薄膜成長と集積化技術が求められている。本研究では、ペロブスカイト型構造を有するLaNiO3をZrO2緩衝層付Si基板上にエピタキシャル成長させることに成功した。また薄膜に対して水素化を行い、水素化による熱伝導率のスイッチング特性特性を観測した。