セッション詳細
[7a-N202-1~11]6.4 薄膜新材料
2025年9月7日(日) 9:00 〜 12:00
N202 (共通講義棟北)
藤原 宏平(立教大)
半導体・導電性・誘電薄膜、新材料・新技術・評価手法
[7a-N202-1]フッ化物ターゲットを使用したPb2OF2エピタキシャル薄膜のPLD成長
〇村木 理恩1、丸野内 洸1、周 瑋琨1、近松 彰2、太田 裕道3、片山 司3 (1.北大院情報、2.お茶大理、3.北大電子研)
[7a-N202-3]ZrO2緩衝Si基板上へのエピタキシャルLaNiO3薄膜の成長と水素化誘起熱スイッチ特性
〇財前 遥1、田中 秀和1,2、李 好博1,2、太田 裕道3、ジョン アロン3、中川原 修4 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.北大電子研、4.I-PEX Piezo Solutions Inc)
[7a-N202-5]トンネルFET用Ti0.3Zn0.7O1.3/Si界面における電流成分解析
〇(M2)小川 健太1,2、知京 豊裕2、小椋 厚志1,3、長田 貴弘2,1 (1.明治大理工、2.物質・材料研究機構、3.明治大MREL)
[7a-N202-11]光発電デバイスへの応用のためのMXene電極の作製と物性評価
〇木嶋 祥貴1、ティワリ クナル2、北川 彩貴1、小林 大造1 (1.立命館大学理工、2.チェコ科学アカデミー物理研)