[7a-N202-1~11] 6.4 薄膜新材料

10:00 〜 10:15

[7a-N202-5] トンネルFET用Ti_0.3Zn_0.7O_1.3/Si界面における電流成分解析

〇(M2)小川 健太^1,2、知京 豊裕²、小椋 厚志^1,3、長田 貴弘^2,1 (1.明治大理工、2.物質・材料研究機構、3.明治大MREL)

キーワード：

トンネルFET、酸化物半導体、薄膜材料評価