講演情報
[7a-N221-7]全固体 193nm 光源を用いたシリコンウェハのアブレーション閾値評価
〇玉手 光次1、小池 陸生1、本杉 宇晃1、近田 修1、三浦 泰祐1 (1.ギガフォトン株式会社)
キーワード：
深紫外固体レーザ、アブレーション閾値、シリコン
我々はパルス幅0.5nsの全固体193nmレーザ光源を用い、Si(100)ウェハのアブレーション閾値をLiu's methodにより評価した。ガウシアンビームで加工したクレータ径から算出した閾値は0.43J/cm²（R²=0.98）であり、従来のArFエキシマレーザ（パルス幅15ns）による閾値0.52J/cm²より低い結果が得られた。