講演情報
[7a-N301-6]AFHT-MOCVD法におけるDiamond(111)基板上へのAlNエピタキシャル成長
〇沈 旭強1、加藤 宙光1、加藤 有香子1、牧野 俊晴1、児島 一聡1 (1.産総研)
キーワード：
窒化アルミニウム
単結晶AlN/単結晶Diamond基板構造を持つSAWデバイスの性能のさらなる向上に期待されている。しかし、Diamond基板上に高品質な単結晶AlNエピタキシャル成長は難しく、その探索研究が必要である。我々は環境に優しい高温成長可能なアンモニアフリー高温有機金属気相成長法(AFHT-MOCVD) [4]を用い、Diamond(111)基板上に単結晶AlNヘテロエピタキシャル成長を試みたので、その結果を報告する。